IT之家 9 月 12 日音尘，三星电子当天通告，三星首款 1 太比特四层单位（QLC）第九代 V-NAND 已认真运转量产，而 1Tb TLC 家具已于本年 4 月运转量产。

据先容，三星 QLC 第九代 V-NAND 已毕了多项本事冲突，IT之家汇总如下：

通谈孔蚀刻本事（Channel Hole Etching），梗概基于双堆栈架构已毕刻下业内最高的单位层数。三星诳骗在 TCL 第九代 V-NAND 中积聚的本事告戒，优化了存储单位面积及外围电路，位密度比上一代 QLC V-NAND 培植约 86%。

预设模具（Designed Mold）本事，梗概革新甘休存储单位的字线（WL）间距，确保归并单位层内和单位层之间的存储单位的特点保合手一致（V-NAND 层数越多，存储单位特点越要害）；弃取预设模具本事使得数据保存性能比拟之前的版块培植约 20%，增强可靠性。

展望步调（Predictive Program）本事，梗概展望并甘休存储单位的情景变化，尽可能减少无谓要的操作，让三星 QLC 第九代 V-NAND 的写入性能翻倍，I/O 速率培植 60%。

低功耗预见打算（Low-Power Design）本事，使数据读取功耗约离别着落了约 30% 和 50%。该本事镌汰了驱动 NAND 存储单位所需的电压，梗概仅感测必要的位线（BL），从而尽可能减少功耗。

此外，三星还默示将扩大 QLC 第九代 V-NAND 的应用限制，从品牌糜费类家具运转，膨大到出动通用闪存（UFS）、个东谈主电脑和做事器 SSD，为包括云做事提供商在内的客户提供做事。